时间：2026年3月22号（周日）下午15:30

地点：复旦大学江湾校区交叉学科二号楼B3009

联系人：王丹青

主讲人简介：唐克超，北京大学集成电路学院研究员，入选海外高层次人才引进计划青年项目，主要研究方向为基于过渡金属氧化物的铁电存储器与新型传感器件，以第一/通讯作者在Science, Nature Materials, Science Advances, IEEE IEDM和IEEE VSLI等期刊和会议发表学术论文，总文章数90余篇，google scholar总引用数5400余次，h因子32。作为项目负责人承担国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金重点项目、面上项目等国家级项目，担任国际会议IEEE EDTM, IEEE VLSI TSA，IEEE CSTIC的技术委员会成员。

讲座摘要：随着以数据为中心的人工智能的不断演进，存储技术的能效已成为制约发展的关键瓶颈，在边缘 AI 部署中尤为突出。基于氧化铪（HfO2）的铁电场效应晶体管（FeFET）凭借其低功耗、高速度、高可微缩性以及对存算一体（CIM）架构的良好适配性，成为了一种备受关注的低功耗存储技术。然而，FeFET 的实际应用仍受限于可靠性问题，主要包括耐久性（Endurance）、一致性（Variations）以及写串扰（Write Disturbs）。在本次报告中，我将首先分别探讨这三类可靠性问题的物理起源及其对应的优化策略。在此基础上，我们将展示高可靠性 FeFET 在先进存储与存算一体领域的应用前景，包括：垂直 3D FeFET：具备高速与高耐受性，适用于存储级内存（SCM）；模拟存算一体宏单元：具备高精度与高吞吐量，适用于边缘大模型。最后，我将分享关于推动 FeFET 硬件落地及未来研究方向的个人见解。