题目：氮化镓基紫外光电子器件

报告人：中科院半导体所 赵德刚 研究员

时间：2024年11月8日 上午10:00

地点：江湾校区交叉二号楼B3009

联系人：宁吉强

【摘要】

    氮化镓基材料包含了氮化铟（InN）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）及其合金，被称为第三代半导体，在紫外波段具有独特的优势，其中GaN基紫外激光器与紫外探测器是重要的光电子器件，在紫外通信、紫外曝光、紫外固化等领域有重要的应用价值。本报告分析了紫外光电子器件的难点，然后研究了氮化铝（AlN）材料的生长方法、铝镓氮（AlGaN）材料的组分控制以及掺杂技术，获得了高质量的AlN、AlGaN材料，揭示了碳杂质、点缺陷对材料和器件的影响机制，研制出高性能的GaN基紫外激光器，并发现了影响紫外激光器可靠性的关键因素和物理机理，还提出了新型肖特基结构，研制出AlN真空紫外探测器（响应波长λ≤200nm）。

【报告人简介】 

    赵德刚，中国科学院半导体所研究员、博士生导师，2009年国家杰出青年科学基金获得者，2011年中国青年科技奖获得者，2017年国家百千万人才工程入选者，2018年国家中青年科技创新领军人才，2019年国家万人计划入选者，国家重点研发计划首席科学家，享受国务院政府特殊津贴专家，中国科学院特聘研究员。1994、1997年在电子科技大学分别获得学士、硕士学位，2000年在中国科学院半导体所获得博士学位，博士毕业后一直留所工作至今，研制出我国第一支氮化镓基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器，发表SCI论文380多篇，获得国家发明专利40多项。