报告时间：2021年1月11日下午3:00到4:30

报告地点：叉二楼B3008

摘要：

激子作为一种电子与空穴以库仑吸引作用耦合在一起的准粒子，普遍存在于半导体及其它功能性固体材料中。它们对于传统半导体以及新型2D半导体的光学性质有着决定性的影响，也是固体物理学前沿领域（如玻色-爱因斯坦凝聚、量子信息）的一个研究热点。因此，研究激子的基本物理性质，以及从微观尺度上加深激子与其周围环境作用机制的认识，具有重要的科学研究以及技术价值。在过去的十几年里，我们一直致力于这方面的研究。在此次报告中，我将汇报激子在3D半导体GaInP体单晶以及新型2D半导体WS2单层中发光的偏振以及环境介电效应。我们发现，在3D-GaInP合金中，由于局部原子自发有序晶畴(超晶格)的形成，局域化激子展现出有趣的偏振发光现象。而在2D-WS2单层中，由于它与衬底间距的纳米尺度的变化，造成介电屏蔽效应的显著差异，导致激子结合能对介电屏蔽表现出Keldysh介电理论模型所描述的依赖规律。

报告人简介:

宁吉强研究员，山东胶州人，2000年毕业于中国科技大学材料与科学工程系，获学士学位，2003年于中国科技大学材料科学与工程系获硕士学位，2007年毕业于香港大学物理系，获博士学位。2015年作为百人计划A类研究员加入中科院苏州纳米所，2016年担任中科院苏州纳米所博士生导师，2017年担任中国科技大学博士生导师。加入中科院苏州纳米所之前，曾在香港大学物理系作为博士后和高级研究助理，进行大型精密激光光谱仪自主搭建以及低维半导体缺陷结构Raman散射以及激子光学性质的研究工作。已在应用物理、光学及材料类国际一流杂志上发表90余篇论文，被正面引用超过1700篇次。