报告时间：3月26日，13：30

报告地点：兴业光学楼525室

题目：微腔增强的半导体光子开关

摘要：

光学路由和开关的能耗已成为发展新一代高容量、高集成度、和组网相对灵活的光学网络的关键技术瓶颈之一。我们从器件的基本原理出发，建立并描述了半导体光子开关在能耗和速度上的理论联系，提出光子开关设计的新思路。在实验上，我们制作并测试了一系列半导体微纳结构，实现了飞焦能耗的全光开关，和单光子能耗的光子晶体开关。我们发展了新型的微腔开关技术，实现了对微腔品质因子、模式体积、耦合常数等的超快控制。并将其应用到自发发射脉冲的产生、激光脉冲的产生、和路径纠缠单光子的产生等一系列原型器件中。

报告人简介：

金潮渊博士，浙江大学微电子学院。本科毕业于南京大学物理学系微电子专业；硕士毕业于中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学专业；博士毕业于英国谢菲尔德大学电子与电气工程专业。曾于2008年在日本神户大学任日本学术振兴会研究员。2010年在荷兰埃因霍温理工大学从事博士后研究。2013年在荷兰EFFECT Photonics公司任资深光子学科学家，从事高密度波分复用光子芯片的开发。2015年加入中国科学院半导体研究所，任“百人计划”研究员。2015年10月赴英国谢菲尔德大学工作，任校长研究员。2016年入选中组部“千人计划”青年项目。2017年全职加入浙江大学信息与电子工程学院，任研究员。

他的主要研究方向是基于半导体材料的超快光子器件，包括高速激光器，光子开关，光调制器，微波光子器件，和单光子源等。曾在国内外学术期刊上发表研究论文43篇。包括Nature Nanotechnology ，Applied Physics Letters，IEEE系列，Optics Letters，Physical Review 系列等一流学术期刊。半导体中自发发射过程的超快控制入选美国光学学会2014年度30大光学进展，并登上专题封面。曾于2008 年入选日本学术振兴会研究员（JSPS Postdoctoral Fellow）。2015 年入选英国谢菲尔德大学校长研究员（Vice-Chancellor's Fellow）。2017 年入选日本学术振兴会桥梁学者（JSPS Bridge Fellow）。