绝缘体上的硅（Silicon-on-Insulator 简称 SOI） 早在70年代就已经开始被作为半导体集成电路的基板进行研究了。在90年代晚期，SOI逐渐地成为主流半导体基板材料之一被像国际商用机器这样的公司作为快速推进摩尔定律的手段商业化了。但在以后的十来年里，随着以英特尔为主流的集成电路器件制造厂又在体硅基板上极其先进地实现了FinFET技术的规模化生产，还由于SOI作为半导体材料相对于体硅的成本较高，人们开始逐渐淡化了对SOI的热情。可是又过了不到十年的今天，由于近几年移动通讯应用的普及化，最新的射频用SOI基板的应运而生，使得全球做移动通讯器件商又都一窝蜂的离不开RF-SOI材料了。此外，物联网器件对低能耗的需求使得全耗尽（FD-SOI）成了当今与FinFET技术抗衡的又一后摩尔的技术，虽然其普及程度仍然是目前业界争议的热点。本报告将介绍SOI材料的一些基本特性和应用，还介绍几个有趣的物理现象带来的技术问题利用材料工程的解决方案。

报告人简介：

费璐，复旦大学本科（1983年），硕士（1986年），美国密苏里州立大学圣路易斯分校博士（1996年）。现任中科院上海微系统与信息技术研究所（上海微系统所）特聘研究员（国家千人计划）。就职于世界四大半导体用硅片公司之一 SunEdison Semiconductor Ltd 公司近二十年，从事半导体用硅材料（silicon wafer），包括体硅片，外延硅片以及SOI片等的生产制造和产品研发。于2014年底回国参加微系统所工作，共同参加中国半导体材料的技术发展和商业生产。

地点：光学楼525

时间：4月1日下午3:00-4:00